Slater & Matsil 法律事務所 - Srini Chakravarthi

Srini Chakravarthi, 博士
電話：(972) 732-1001
傳真：(972) 732-9218
電子郵件：chakravarthi@slater-matsil.com

簡歷

Chakravarthi 博士專精智慧財產權法相關各方面服務，包括專利保護、執行以及組合管理。Srini 擅長確保客戶的各方面智慧財產權不受侵犯，並樂在其中。加入事務所之前，Chakravarthi 博士於 R&D 部門服務多年，因此對於客戶在技術與商業上的需求瞭若指掌。Chakravarthi 將其專才與複雜的技術資料融合，客戶對其豐富的經驗皆表示激賞。

Chakravarthi 博士具有獨一無二的專業知識，範圍之廣橫跨工程與科學（奈米技術、材料科學與電子）。Srini 於德州儀器的旗艦研究與發展部門擁有超過六年的技術開發資歷。因此，Srini 在各種工程技術領域中累積了廣泛的知識與寶貴的經驗。擔任工程師時，Srini 曾投入裝置設計與電腦輔助技術設計，並開發出運用於多種半導體技術的創新技術與數值模型。也因此，他對矽晶技術發展相當熟稔：從技術定義到產品生產。

教育背景

Srini 於2011年自南美以美大學法學院畢業，取得法律博士學位。Srini 研究所的教育背景介於電子工程與材料科學之間，涵蓋半導體製程中的奈米機制觀察基礎模型。Srini 於 2000 年畢業於波士頓大學，並取得博士學位。他在 1995 年自印度理工大學畢業，取得工程學學士學位。

會員資格

Chakravarthi 博士是德州律師協會的會員，並擁有美國專利商標局的註冊執業資格。

獲獎肯定

法學院優等生名單（多次入選：2007-2011）;
《科技法務透析》(Science and Technology Law Review) 文章編輯 (2010-2011)；
因在 PMOS 領域具開創性的研究內容，榮獲 2004 年國際可靠度物理論壇 (International Reliability Physics Symposium) 最佳論文獎；
2005 年獲選為德州儀器專屬的 Technical Ladder（技術梯）科技職，表揚其對德州儀器的技術貢獻（技術人員的會員團體）；
德州儀器專利評審委員會會員：2005-2007；
2007 年材料研究學會國際會議之研討會籌劃委員會與會議主席；
2006 年國際半導體模組會議 (SISPAD) 技術會議委員會；
擔任多個科學學術期刊的評選委員；以及
1991 年參加年度國家印度工程學系入學考試 (IIT-JEE) 時成績名列前 2%。

演講與著作

Chakravarthi 博士因其於半導體科技領域的多項貢獻而享譽國際。Chakravarthi 博士曾於多次在國際會議中擔任講者，也多次受邀簡報。Srini 曾在頂尖期刊與會議中發表超過 50份出版品。Dr.Chakravarthi 博士的研究作品受到超過 700次的引用。下方列出部分 Chakravarthi 博士的作品與報告。

"A comprehensive framework for predictive modeling of negative bias temperature instability," S Chakravarthi, A Krishnan, V Reddy, CF Machala, S Krishnan, IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 273-282 (2004).
"Probing negative bias temperature instability using a continuum numerical framework: physics to real world operation," S. Chakravarthi, Microelectronics Reliability, 47, 863-872, Elsevier Science (2007), and International Workshop on Computational Electronics (IWCE-11), Vienna, (2005), (Invited);
"Atomistic based process modeling for state of the art nanoscale CMOS device design," S. Chakravarthi, NanoTech 2003, Nano Science and Technology Institute, (Invited);
"Fundamentals of silicon material properties for successful exploitation of strain engineering in modern CMOS manufacturing," P.R. Chidambaram, C. Bowen, S. Chakravarthi, C. Machala, and R. Wise, Special Issue on Non-Classical Si CMOS Devices and Technologies: Extending the Roadmap, IEEE Trans. Elec. Dev., 53, 944- 964, (2006), (Invited Review Paper);
"Design of CMOS transistors to maximize circuit FOM using a coupled process and mixed-mode simulation methodology," R. Venugopal, S. Chakravarthi, and P.R. Chidambaram, Electron Device Letters, 27, 863 - 865, (2006); 以及
"A simple continuum model for boron clustering based on atomistic calculations," S. Chakravarthi and S.T. Dunham, Journal of Applied Physics, 89, 3650-3655, (2001) (American Institute of Physics).

專利

Chakravarthi 的作品有許多評價，他也是至少 24 項擁有美國專利權發明的發明者。

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