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Ryan Alassaad, Ph.D.
Telefon: +1 (972) 732-1001
Fax: +1 (972) 732-9218
E-Mail: alassaad@slater-matsil.com

BIOGRAFIE

Rayan Alassaad, Ph. D., verfügt über Erfahrungen auf den Gebieten optische Metrologie, Bild- und Signalverarbeitung, Mikroskopie, Scatterometrie, optomechanisches Design, Photonenkristalle, diffraktive Optik, statistische Datenanalyse, Methoden zur Optimierung inverser Probleme und Computermodellierung. Er ist bei Patenterteilungsverfahren als technischer Berater tätig, u. a. in den Bereichen Telekommunikation, elektronische Schaltungen, Systeme und Software.

Rayan war als wissenschaftlicher Mitarbeiter im Nanoscale Integration Lab an der University of Texas (Dallas) wie auch im Optical Instrumentation Lab beschäftigt. Er arbeitete mit elektromagnetischen Modellen unter Verwendung von RCWA und FDTD wie auch mit CD-Metrologie in der Halbleiterverarbeitung und Nanolithografie, Streufeld-Mikroskopie und im Oberflächenplasmon-Imaging.

Vor seiner Tätigkeit an der University of Texas (Dallas) war er als Hilfswissenschaftler für Elektrotechnik-Seminare an der Universität tätig. Die Seminare betrafen elektronische Schaltungen, Elektronische Geräte und Technische Mathematik für Fortgeschrittene. Er hat zudem mehrere Jahre als Computerprogrammierer bei BAB International gearbeitet.

STUDIUM

2006 erwarb Rayan an der University of Texas (Dallas) den akademischen Grad eines Ph. D. in Elektrotechnik. 1998 erhielt er von der Lebanese American University den Grad eines Bachelor of Science in Informatik, und 2003 verlieh ihm die University of Texas (Dallas) den Grad eines Master of Science in Elektrotechnik.

PUBLIKATIONEN

Publikationen von Rayan Alassaad aus den letzten Jahren (Auszug): R.M. Al-Assaad, E.M. Drege, D. M. Byrne, Proc. SPIE 4692, S. 17-28, 2002, E.M. Drege, J.M. Al-Assaad, D. M. Byrne, Proc. SPIE 4689, S. 151-162, 2002, R. Al-Assaad und D. Byrne, Op. Soc. Am. A 24, S. 326-338, 2007, R. M. Al-Assaad, L. Tao und W. Hu, Proc. SPIE 6518, S. 651839, 2007. R. M. Alassaad et. al., J. Vac. Sci. Technol. B, im Druck. R. M. Alassaad, L. Tao und W. Hu, J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS, im Druck.

MITGLIEDSCHAFTEN

Rayan ist zur Vertretung vor dem United States Patent and Trademark Office üben.

Suite 1000, 17950 Preston Road
D
allas, Texas 75252-5793 - 972-732-1001


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