Slater & Matsil, L.L.P. - Srini Chakravarthi

Srini Chakravarthi, Ph.D.
電話:(972) 732-1001
ファックス:(972) 732-9218
電子メール: chakravarthi@slater-matsil.com

バイオグラフィー

スリーニは、特許の保護、執行、およびポートフォリオ管理に関連する知的財産法のあらゆる面を取り扱っています。クライアントと協力して知的財産のあらゆる面が確実に保護されるように努めています。当事務所に入社する前の長年に及ぶ研究開発分野での経験から、クライアントの技術面およびビジネス面のニーズを痛感しています。これにより、スリーニは、その豊かな経験と、特に複雑な技術資料を素早く把握する能力を生かして、クライアントのニーズに適確に応えています。

スリーニの独特な専門知識は、工学および科学の様々な分野 (ナノテクノロジー、材料科学、および電気) を網羅しています。スリーニの経験には、テキサスインスツルメンツ社で最も重要とされる研究開発部門での 6 年以上に及ぶ技術開発が含まれます。その結果、様々な工学分野における幅広い知識と貴重な経験を蓄積しています。エンジニアとして、装置の設計およびテクノロジー、コンピュータ支援設計の分野で務め、最新鋭のテクノロジーと、複数のテクノロジーノードに使用される数々のモデルを開発しました。その経験から、テクノロジーの定義から製品の歩留まりまで、シリコン技術開発に精通しています。

学歴

2011 年、サザンメソジスト大学のデッドマンロースクールを優秀な成績で卒業し、J.D. を取得しました。電気工学と材料科学の分岐点となった大学院教育では、半導体工程中に観察されるナノスケールメカニズムの基本モデリングなどを研究しました。このオリジナルの研究により、2000年ボストン大学より工学博士号を授与されました。1995 年、インドのバナラスヒンズー大学工科研究科で工学学士号を取得しています。

会員

テキサス州弁護士協会会員。米国特許商標庁認定。

受賞/業績

ロースクルールの学部長表彰者 (2007～2011 年までに複数回)
『Science and Technology Review』の論文編集者 (2010～2011 年)
PMOS NBTI 分野における先駆的な研究に対し、2004 年国際信頼性物理シンポジウムにて優秀論文賞受賞
テキサスインスツルメンツ社への技術貢献 (Member Group of Technical Staff) を認識され、同社のTechnical Ladde賞候補となる (2005年)
テキサスインスツルメンツ社の特許化検討委員会メンバー (2005～2007 年)
材料研究協会 (MRS) 国際会議のシンポジウム組織委員会およびセッション委員長 (2007 年)
国際半導体モデリング学会 (SISPAD) の技術プログラム委員会 (2006 年)
数々の科学学術誌への推薦投稿
Annual National Indian Engineering Entrance Exam (IIT-JEE) で上位 2% の成績を達成 (1991年)

スピーチおよび執筆

スリーニは、様々な半導体技術分野における貢献から国際的に認識されています数多くの招待講義を始めとし、主要な国際会議で数々の講演を行ってきました。主要業界誌や学会誌における発表は 50 以上に上ります。その論文は 700 回以上引用されています。以下はその論文およびプレゼンテーションの一部です。

「A comprehensive framework for predictive modeling of negative bias temperature instability、」 S. Chakravarthi、 A. Krishnan、 V. Reddy、 C.F. Machala、 S Krishnan、 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings、 273-282 (2004)。
「Probing negative bias temperature instability using a continuum numerical framework: physics to real world operation、」 S. Chakravarthi、 Microelectronics Reliability、 47、 863-872、 Elsevier Science (2007)、 and International Workshop on Computational Electronics (IWCE-11)、 Vienna、 (2005)、 (Invited)。
「Atomistic based process modeling for state of the art nanoscale CMOS device design、」 S. Chakravarthi、 NanoTech 2003、 Nano Science and Technology Institute、 (Invited)。
「Fundamentals of silicon material properties for successful exploitation of strain engineering in modern CMOS manufacturing、」 P.R. Chidambaram、 C. Bowen、 S. Chakravarthi、 C. Machala、 and R. Wise、 Special Issue on Non-Classical Si CMOS Devices and Technologies: Extending the Roadmap、 IEEE Trans. Elec. Dev.、 53、 944- 964、 (2006)、 (Invited Review Paper)。
「Design of CMOS transistors to maximize circuit FOM using a coupled process and mixed-mode simulation methodology、」 R. Venugopal、 S. Chakravarthi、 and P.R. Chidambaram、 Electron Device Letters、 27、 863 - 865、 (2006)。
「A simple continuum model for boron clustering based on atomistic calculations、」 S. Chakravarthi and S.T. Dunham、 Journal of Applied Physics、 89、 3650-3655、 (2001) (American Institute of Physics)。

特許

その数多くの重要な革新技術から、スリーニは 24 以上の交付済みの米国特許の発明者となっています。

Suite 1000, 17950 Preston Road
Dallas, Texas 75252-5793 - 972-732-1001