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Srini Chakravarthi，博士
电话：(972) 732-1001
传真：(972) 732-9218
电子邮箱：chakravarthi@slater-matsil.com
个人简介
Chakravarthi 博士从事与专利保护、执行和专利组合管理相关的知识产权法律的各方面事务。Srini 喜欢与其客户合作，确保他们的知识产权的所有方面均受到保护。在加入本事务所之前，Chakravarthi 博士从事多年的研发工作，因此，他非常了解其客户的技术和业务需求。因此，Chakravarthi 博士的客户受益于并欣赏他如此丰富的经验，尤其是在这种经验结合他的能力，使他快速掌握复杂的技术资料的时候。
Chakravarthi 博士拥有独特的专长，这种专长涵盖工程学和科学的各个领域（纳米技术、材料科学和电气）。Srini 的背景包括在德州仪器的旗舰研发部门六年多的技术开发工作经验。Srini 拥有广泛的知识基础和在各个工程领域的宝贵经验。作为工程师，Srini 从事设备设计和技术电脑辅助设计，开发最先进的技术和用于多种技术节点的数值模型。因此，他非常熟悉硅技术开发：从技术定义到产品产出。
教育背景
Srini 于 2011 年从南卫理公会大学德德曼法学院取得法学博士学位（优等法学博士学位）。Srini 的研究生教育交叉涉及电气工程和材料科学，并包括半导体制造中观察到的纳米级别机制的基本建模。因这项原创工作，Srini 于 2000 年被波士顿大学授予工程学博士学位（哲学博士学位）。他从印度贝拿勒斯印度大学理工学院获得工程学学学士学位（1995 年）。
会员身份
Chakravarthi 目前是德克萨斯州律师协会的成员，拥有美国专利及商标局的注册执业资格。
奖项/荣誉
- 法学院优秀学生名单（2007-2011 年间多次获奖）；
- 《科技法务透析》（Science and Technology Law Review）文章编辑（2010-2011 年）；
- 以在 PMOS NBTI 领域的开拓性研究获得 2004 年国际可靠性物理研讨会 (International Reliability Physics Symposium) 卓越论文奖；
- 入选（2005 年）德州仪器独家“技术阶梯”(Technical Ladder)，表彰其对德州电器的技术贡献（技术人员成员组）；
- 德州电器专利审查委员会委员：2005-2007 年；
- 2007 年材料研究学会 (Materials Research Society) 国际会议研讨会组委会和会议主席；
- 2006 年国际半导体建模会议 (SISPAD) 技术程序委员会；
- 众多学术科学期刊的来稿审阅；
- 印度年度全国工程入学考试（印度理工大学联合入学考试）名列前 2%，1991 年。
演讲与著作
Chakravarthi 博士以其对半导体技术多个领域的贡献而享誉国际。Chakravarthi 博士已举行过多场讨论会，包括在主要国际会议上的许多特约演讲。Srini 已撰写 50 多部作品，并在各大期刊和会议上发布。Chakravarthi 博士的作品已被引用 700 多次。以下列出几篇他的文章和演讲。
- "A comprehensive framework for predictive modeling of negative bias temperature instability," S Chakravarthi, A Krishnan, V Reddy, CF Machala, S Krishnan, IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 273-282 (2004).
- "Probing negative bias temperature instability using a continuum numerical framework: physics to real world operation," S. Chakravarthi, Microelectronics Reliability, 47, 863-872, Elsevier Science (2007), and International Workshop on Computational Electronics (IWCE-11), Vienna, (2005), (Invited);
- "Atomistic based process modeling for state of the art nanoscale CMOS device design," S. Chakravarthi, NanoTech 2003, Nano Science and Technology Institute, (Invited);
- "Fundamentals of silicon material properties for successful exploitation of strain engineering in modern CMOS manufacturing," P.R. Chidambaram, C. Bowen, S. Chakravarthi, C. Machala, and R. Wise, Special Issue on Non-Classical Si CMOS Devices and Technologies: Extending the Roadmap, IEEE Trans. Elec. Dev., 53, 944- 964, (2006), (Invited Review Paper);
- "Design of CMOS transistors to maximize circuit FOM using a coupled process and mixed-mode simulation methodology," R. Venugopal, S. Chakravarthi, and P.R. Chidambaram, Electron Device Letters, 27, 863 - 865, (2006); 和
- "A simple continuum model for boron clustering based on atomistic calculations," S. Chakravarthi and S.T. Dunham, Journal of Applied Physics, 89, 3650-3655, (2001) (American Institute of Physics).
专利
Chakravarthi 博士拥有许多值得称赞的重大创新，他是至少 24 项已发布的美国专利的命名发明人。
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