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Srini Chakravarthi, Ph.D.
Telefon: +1 (972) 732-1001
Fax: +1 (972) 732-9218
E-Mail: chakravarthi@slater-matsil.com
BIOGRAFIE
Srini Chakravarthi, Ph.D., praktiziert alle Aspekte des Urheberrechts hinsichtlich Patentschutz, -durchsetzung und -portfoliomanagement. Er freut sich, seine Mandanten bei der Sicherstellung des Schutzes aller Aspekte ihres geistigen Eigentums unterstützen zu können. Vor seinem Eintritt in die Kanzlei hat Srini viele Jahre in der Forschung und Entwicklung gearbeitet, so dass ihm die technischen und geschäftlichen Bedürfnissen seiner Mandanten eingehend bewusst sind. Srini Mandanten schätzen seine reiche Erfahrung, besonders in Kombination mit seiner Fähigkeit, komplexe technische Zusammenhänge schnell zu erfassen.
Srini verfügt über eine einzigartige Kombination von Fachgebieten in verschiedenen technischen und wissenschaftlichen Bereichen (Nanotechnologie, Materialwissenschaft und Elektrik). Sein Hintergrund umfasst mehr als sechs Jahre technologischer Entwicklungsarbeit in der Forschung-und-Entwicklung-Vorzeigeabteilung von Texas Instruments. Daher besitzt er eine breit gefächerte Wissensgrundlage und unschätzbare Erfahrung in verschiedenen Bereichen des Ingenieurwesens. Als Ingenieur arbeitete Srini in den Bereichen Gerätedesign und -technologie, computergestütztes Design und entwickelte fortschrittlichste Technologien und numerische Modelle, die in multiplen Technologieknoten zum Einsatz kommen. Er ist daher bestens vertraut mit siliziumbasierten Technologieentwicklungen, von der Technologiedefinition bis hin zur Produkterstellung.
BILDUNGSGANG
Srini erwarb den Doktortitel der Jurisprudenz (J.D., cum laude) 2011 von der Dedman School of Law an der Southern Methodist University. Sein Doktorandenstudium kombinierte Elektrotechnik und Materialwissenschaft und umfasste fundamentales Modeling von Mechanismen im Nanobereich, die während der Halbleiterherstellung beobachtet werden. Für seine Forschungen erhielt er 2000 einen Doktortitel im Ingenieurwesen (Ph. D.) von der Boston University. Seinen Bachelor im Ingenieurwesen erhielt er vom Institute of Technology, Banaras Hindu University in Indien (1995).
MITGLIEDSCHAFTEN
Srini ist Mitglied der State Bar of Texas und ist beim Patent- und Markenamt der USA als Anwalt zugelassen.
PREISE/AUSZEICHNUNGEN
- Dean‘s List der juristischen Fakultät (mehrfach 2007-2011);
- Lektor von wissenschaftlichen Beiträgen der Science and Technology Law Review (2010-2011);
- Preis für hervorragende Abhandlung beim International Reliability Physics Symposium 2004 für bahnbrechende Forschungen im Bereich PMOS NBTI;
- Ausgewählt (2005) für die exklusive Technical Ladder von TI in Anerkennung seiner technischen Beiträge bei TI (Member Group of Technical Staff);
- Mitglied TI Patent Review Committee: 2005-2007);
- Symposium-Organisationskomittee und Session Chair beim Materials Research Society in 2007;
- Technical Program Committee der internationalen Halbleiter-Modeling-Konferenz (SISPAD) 2006;
- Begutachtete Einreichungen für eine Anzahl wissenschaftlicher Journale; und
- unter den Top 2 % im Annual National Indian Engineering Entrance Exam (IIT-JEE), 1991.
VORTRÄGE UND VERÖFFENTLICHUNGEN
Srini ist für seine Beiträge in verschiedenen Bereichen der Halbleitertechnologie international anerkannt. Dr. Chakravarthi hat in führenden internationalen Konferenzen zahlreiche Vorträge gehalten, viele davon waren Präsentationen auf Einladung. Er ist Autor von 50 Veröffentlichungen in führenden Journalen und auf führenden Kongressen. Dr. Chakravarthis Arbeiten sind über 700 Mal zitiert worden. Einige seiner Artikel und Präsentationen sind im Folgenden aufgelistet.
- „A comprehensive framework for predictive modeling of negative bias temperature instability,“ S Chakravarthi, A Krishnan, V Reddy, CF Machala, S Krishnan, IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 273-282 (2004).
- „Probing negative bias temperature instability using a continuum numerical framework: physics to real world operation,“ S. Chakravarthi, Microelectronics Reliability, 47, 863-872, Elsevier Science (2007), und International Workshop on Computational Electronics (IWCE-11), Vienna, (2005), (erbeten);
- „Atomistic based process modeling for state of the art nanoscale CMOS device design,“ S. Chakravarthi, NanoTech 2003, Nano Science and Technology Institute, (erbeten);
- „Fundamentals of silicon material properties for successful exploitation of strain engineering in modern CMOS manufacturing,“ P.R. Chidambaram, C. Bowen, S. Chakravarthi, C. Machala, und R. Wise, Special Issue on Non-Classical Si CMOS Devices and Technologies: Extending the Roadmap, IEEE Trans. Elec. Dev., 53, 944- 964, (2006), (erbetene Beurteilung);
- „Design of CMOS transistors to maximize circuit FOM using a coupled process and mixed-mode simulation methodology,“ R. Venugopal, S. Chakravarthi, und P.R. Chidambaram, Electron Device Letters, 27, 863 - 865, (2006); und
- „A simple continuum model for boron clustering based on atomistic calculations,“ S. Chakravarthi und S.T. Dunham, Journal of Applied Physics, 89, 3650-3655, (2001) (American Institute of Physics).
PATENTE
Vor dem Hintergrund zahlreicher nicht mehr wegzudenkender Innovationen ist Dr. Chakravarthi in mindestens 24 erteilten US-Patenten als Erfinder benannt.
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