Ruojian Zhang
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BIOGRAFIE

Ruojian Zhang, ein zugelassener "Patent Agent“, vereint auf einmalige Weise beträchtliche Forschungserfahrung mit einer praktischen Ingenieurausbildung. Er kann auf höhere technische Studienabschlüsse und Forschungsarbeiten in der Mikrowellentechnologie und Festkörperelektronik sowohl in seinem Vaterland China als auch in den USA verweisen, darunter auf seine Forschungstätigkeit in der Festkörperelektronik zur Erlangung des Doktortitels. Darüber hinaus besitzt er 10 Jahre praktischer Ingenieur-Erfahrung, vornehmlich in den Bereichen Telekommunikation, Computersysteme sowie Softwaredesign und entwicklung.

Er ist für seine hervorragenden Beiträge zu Hochtechnologie-Startup-Firmen, aber auch zu etablierten Unternehmen wie Cisco Systems und Nortel Networks anerkannt. Ruojian ergreift alle Maßnahmen, die erforderlich sind, um das geistige Eigentum von Mandanten im Hinblick auf die theoretische und strategische Anwendung sowie im Hinblick auf ihre unmittelbaren Auswirkungen auf die geschäftlichen Ziele der Mandanten zu bewerten und zu schützen. Als chinesischer Muttersprachler (Mandarin) versteht er die Anforderungen von sowohl fernöstlichen Mandanten als auch US-amerikanischen Mandanten, die in Asien geschäftlich tätig sind.

BILDUNGSGANG

1987 schloss Ruojian ein Studium der Elektrotechnik an der Universität Nanjing, VR China, mit dem akademischen Grad eines B.S. ab. Die gleiche Universität verlieh ihm 1990 einen Master Degree in Elektrotechnik mit den Schwerpunkten Mikrowellen- und Elektromagnetfeldtechnologie. 1995 schloss er sein Studium an der Southern Methodist University mit einem Master Degree und dem Schwerpunkt auf Festkörperelektronik ab. Des Weiteren hat er an der Southern Methodist University wichtige Forschungsarbeit auf dem Gebiet der Festkörperelektronik geleistet und sowohl die schriftlichen als auch die mündlichen Prüfungen für eine Promotion in Elektrotechnik bestanden.

MITGLIEDSCHAFTEN

Ruojian ist als Anwalt beim Patent und Markenamt der USA zugelassen.

VERÖFFENTLICHUNGEN

Ruojian hat eine Reihe technischer Arbeiten veröffentlicht:

• Butler, C. und Zhang, R., l/f Noise and Electromigration in Multi-Layered VIA Structures, 39 Solid State Electronics 281 (1996).
• Zhang, R. und Butler, C., Detection of Via Electromigration in VLSI Circuit Metallizations by 1/f Noise Measurements, Six Quantum 1/f Noise and Other Low Frequency Fluctuations in Electronic Devices Symposium, S. 70 (1994).